半導體激光照射預防和緩解牙髓炎急性反應
摘要:牙根尖周炎牙髓炎或牙根尖周炎患者在臨床治療中.易發(fā)生以疼痛和腫脹等特點為主的根管治療急性反應,發(fā)生率可達11%~40%。研究顯示,半導體激光照射可有效預防和緩解根管治療急性反應。
摘要:目的觀察半導體
激光照射預防及緩解根管治療急性反應(endodontieinterappointmentEIAE)的效果。
方法:選取需進行根管治療的患有
牙髓炎及根尖周炎的
牙病患者304例,隨機分為2組,在進行根管預備及樟腦酚棉捻開放后,其中1組(155例)應用半導體激光在牙體外輻射根尖區(qū)。另1組不作處置,24h后觀察記錄患者主觀癥狀和體征,比較2組根管治療急性反應發(fā)生率。另選取根管充填后發(fā)生急性反應的牙病患者175例。隨機分為2組。1組(96例)應用半導體激光在牙體外輻射根尖區(qū);另1組(79例)給予口服甲硝唑及先鋒Ⅳ,24h后觀察記錄患者主觀癥狀和體征,比較2組緩解根管治療急性反應效果。結果304例牙病患者中,應用半導體激光照射組的急性反應發(fā)生率為4.52%,未照射組為10.74%,2組差異有統計學意義(P<0.05);175例根管填充后發(fā)生急性反應的患者中,半導體激光照射組的EIAE緩解效果明顯好于
藥物治療組,2組差異有統計學意義(P<0.05)。
結論:半導體激光照射可有效預防和緩解根管治療急性反應。
關鍵詞:激光照射;根管治療期間急癥;牙根尖周炎牙髓炎或牙根尖周炎患者在臨床治療中.易發(fā)生以疼痛和腫脹等特點為主的根管治療急性反應(EndodonticInterap.pointmentEmergencies,EIAE),發(fā)生率可達11%~40%。應用激光照射緩解根管治療急性反應有明顯效果C23。本文應用半導體激光,采取牙根管外照射方法。觀察比較激光照射預防或緩解根管治療的急性反應。結果報告如下。
1、對象與方法
1.1對象
選取本院121腔內科2002年3月--2006年5月需進行根管治療的患者304例,包括確診為慢性根尖周炎、慢性牙髓炎或牙髓壞死等牙齒疾病;要求無牙周病。無
糖尿病等其他系統性疾病。另外收集進行根管充填術后出現疼痛和/或腫脹的患者175例。
1.2方法
(1)儀器與試劑:RootZX根管長度測量儀;半導體激光治療儀;激光發(fā)射波長980nm,輸出功率500mw;樟腦酚棉捻、甲硝唑、先鋒Ⅳ等。
(2)激光照射預防急性反應觀察:需進行根管治療的304例患者,隨機分為激光照射組155例;對照組149例。全部患牙測量根管長度。3%雙氧水與生理鹽水交替沖洗根管,樟腦酚棉捻開放。激光照射組采用半導體激光在根尖區(qū)頰側牙槽粘膜處照射3min;對照組不做任何處理。24h后觀察并記錄2組患者主觀癥狀和體征。比較2組急性反應發(fā)生率。急性反應疼痛分級按文獻標準,其中,0級:無疼痛?;佳罒o任何癥狀或體征;I級:輕度疼痛不適,無需藥物治療或急診處理;Ⅱ級:發(fā)生疼痛,僅需藥物治療或降低咬合即可緩解;出現Ⅱ、Ⅲ級疼痛即判定為根管治療急性反應(EIAE)。
(3)激光照射緩解急性反應觀察:根管充填后出現急性反應癥的175例患者,隨機分為激光照射組96例,藥物治療組79例。激光治療組患者應用半導體激光在根尖區(qū)頰側牙槽粘膜處照射3min;藥物治療組給予口服甲硝唑2次/d,1次2片和先鋒4號2次/d、1次2片。24h后觀察并記錄急性反應緩解效果。緩解效果判定分3級,其中。照射后疼痛緩解,叩痛消失,局部牙齦無紅腫判定為效果顯著;照射后疼痛、叩痛及局部牙齦紅腫均減輕為有效;照射后疼痛、叩痛及局部牙齦紅腫均無改變?yōu)闊o效。
2、結果
2.1半導體激光照射對根管治療急性反應的預防效果
激光照射組155例中.發(fā)生輕度疼痛不適(I級)12例,發(fā)生Ⅱ級疼痛5例,Ⅲ級疼痛2例。其中發(fā)生Ⅱ、Ⅲ級疼痛計7例。根管治療急性反應發(fā)生率為4.52%。對照組149例中。發(fā)生輕度疼痛不適(I級)14例,發(fā)生Ⅱ級疼痛8例,Ⅲ級疼痛6例。其中發(fā)生Ⅱ、Ⅲ級疼痛計14例,根管治療急性反應發(fā)生率為10,74%,經12檢驗,2組根管治療急性反應發(fā)生率差異有統計學意義(P<0.05)。表明半導體激光牙根管外照射可有效預防根管治療急性反應的發(fā)生。
2.2半導體激光照射對根管治療急性反應的緩解效果
激光照射組96例中,經激光照射后急性反應明顯緩解28倒,有效緩解57例,無效1l例;其中有效緩解85例,總有效率為鵝.54%。藥物治療組79例中,急性反應明顯緩解15例,有效緩解43例。無效21例;其中有效緩解58飼??傆行蕿?3.42%。經f檢驗,2組不同方法緩解根管治療急性反應的有效率差異有統計學意義(P<0.05),表明半導體激光牙根管外照射緩解根管治療急性反應的作用優(yōu)于常規(guī)藥物治療。
3、討論
研究表明,激光根管內照射可有效地消毒根管,避免急性根尖周炎發(fā)作。本文應用半導體激光進行根管外根尖區(qū)照射,觀察根管外照射對根管治療急性反應的預防和緩解效果。結果表明,半導體激光牙根管外照射可以有效預防根管治療急性反應的發(fā)生,并且可以明顯改善經根管填充術后患牙的疼痛及腫脹。這主要是依靠半導體激光產生的刺激調理作用,改善根尖區(qū)的血液循環(huán)。加速炎癥吸收,促進根尖區(qū)病變愈合。對于根充術后的患者,采用激光根管外照射方法,可避免再次根管治療的痛苦,且消炎鎮(zhèn)痛效果明顯。半導體激光屬于低功率激光,具有輸出功率穩(wěn)定、穿透深、攜帶方便等優(yōu)點。激光被組織吸收后產生的熱能和化學能非常小,不會傷害組織。具有局部外照射效果明顯的獨特優(yōu)勢,適用于牙科患者預防或緩解根管治療急性反應。